本發明公開了一種雙室單聯真空循環脫氣爐及太陽能級多晶硅的制備,該雙室單聯真空循環脫氣爐包括:上下設置的上真空室和下真空室,中間通過連接管連接;其制備方法包括:1)將冶金硅料放入下真空室,加熱形成硅液,同時對上真空室加熱;2)下真空室的硅液通過連接管連接到上真空室;3)對上下真空室分別進行抽真空;同時,對連接管中通入氣體;4)通過控制上下真空室之間的壓力差和對連接管中通入氣體,使硅液在上下真空室間循環,得到太陽能級多晶硅原料。本發明能生產出成份均勻、硼磷含量較低的太陽能級多晶硅原料,并能量產,而且該太陽能級多晶硅原料能直接進行鑄錠或拉單晶。
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