本發明提供焊料凸塊結構和凸塊下冶金結構。半導體襯底的上表面包含置于其上的第一導電焊盤(200)。鈍化層(202)覆蓋上述上表面。第二導電焊盤(212)置于鈍化層中的開口(204)中并與第一導電焊盤相接觸。凸塊下冶金結構(300)包封第二導電焊盤,覆蓋第二導電焊盤的上表面和側壁面,保護第一和第二導電焊盤免受環境和工藝的影響。根據本發明,不再需要傳統的第二鈍化層。還給出了形成各種結構的方法。
聲明:
“制造倒裝芯片器件的結構和方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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