一種晶體硅可控化生長及提純的方法,屬于冶金提純及晶體生長交叉技術領域。該方法構建具有三明治結構“冶金硅?溶劑金屬?籽晶”的樣品原料,放置于具有溫度梯度的熱場中進行加熱、保溫,待保溫結束后快速淬火冷卻至室溫,最終分離得到生長速度可控、品質(純度、雜質分布)可控、晶體取向可控的塊狀晶體硅,并將冶金硅源、硅合金及籽晶回收重復利用。本發明主要通過添加冶金硅源以促進晶體硅穩定生長,提高生長速率;添加籽晶襯底以有效調控生長硅晶體取向;其次通過添加低熔點溶劑金屬與冶金硅形成合金熔體,有效降低晶體硅生長溫度,降低能耗,降低生長硅中雜質含量,提高提純效果。本發明生長提純晶體硅滿足太陽能級硅的要求,節能降耗環保,生產效率高。
聲明:
“利用硅合金可控化生長高純塊狀晶體硅的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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