本發明公開了一種冶金法提純工業硅的工藝,包括以下步驟:1)將工業硅塊置于真空環境中加熱至其熔化,并保持該溫度40-80min以精煉硅塊;2)在上步的真空環境中導入含氧氣、水蒸氣的保護氣氛以使得保護氣氛中的氧氣、水蒸氣與硅塊中的雜質充分反應,保護氣氛的導入流量為50-100ml/min;此步中,工業硅塊依然處于熔化狀態;3)將上步得到的硅液驟冷,形成碎晶;4)將碎晶破碎、球磨,再用酸浸泡、水洗滌、干燥即可。本工藝流程簡單,能耗低,同時無需引入任何金屬氧化物造渣劑,避免了造渣劑帶來的二次污染;并可將工業硅純化至太陽能級多晶硅。
聲明:
“冶金法提純工業硅的工藝” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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