權利要求
1.可控生長六角星形單層MoS 2的方法，其特征在于，包括：將納米MoO 3均勻分布在碳布表面，碳布放置于石墨槽的底部，所述石墨槽放置于一個雙溫區石英管的高溫區中，石墨槽頂部倒扣有襯底； 通過加熱將石墨槽的MoO 3沉積于倒扣在石墨槽頂部的襯底表面，利用一定流速的載氣將低溫區形成的硫蒸汽攜帶至高溫區的襯底，使MoO 3硫化得到六角星形的單層MoS 2。2.如權利要求1所述的可控生長六角星形單層MoS 2的方法，其特征在于，所述納米MoO 3的粒徑尺寸為40-50 nm。 3.如權利要求1所述的可控生長六角星形單層MoS 2的方法，其特征在于，將納米MoO 3均勻分布在碳布表面的方法包括：將納米MoO 3乙醇分散液滴在碳布表面，通過對石墨槽進行烘烤使得乙醇揮發，納米MoO 3均勻分布在碳布表面。 4.如權利要求3所述的可控生長六角星形單層MoS 2的方法，其特征在于，所述納米MoO 3乙醇分散液經10 min以上的超聲處理且MoO 3濃度為1-50 mg/mL，滴加至碳布表面的納米MoO 3乙醇分散液的體積為20-40 μL。 5.如權利要求3所述的可控生長六角星形單層MoS 2的方法，其特征在于，通過將石墨槽放置于加熱板上烘烤來使乙醇揮發，烘烤溫度為60-70℃。 6.如權利要求1所述的可控生長六角星形單層MoS 2的方法，其特征在于，將0.8-1.2 g硫粉放置于石英舟內，石英舟放置于裝載石墨槽的上游，低溫區以8℃/min的加熱速率升溫至150-250℃來對硫粉進行加熱，高溫區以25℃/min的加熱速率升溫至700℃，再以10℃/min的加熱速率升溫至760℃來對石墨槽內的MoO 3進行加熱從而進行硫化反應。 7.如權利要求1所述的可控生長六角星形單層MoS 2的方法，其特征在于，所述載氣為氬氣、氮氣或氬氫混合氣體，流速為100-150 sccm。 8.如權利要求1所述的可控生長六角星形單層MoS 2的方法，其特征在于，所述襯底為SiO 2/Si襯底，所述襯底在使用前依次使
聲明：
“可控生長六角星形單層MoS2的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：浙江大學杭州國際科創中心
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2025年07月18日 ~ 20日 
