提供了顯示出可部分歸因于誘導晶格應變的增強的反應性質的新型化合物。所述新型化合物顯示了銅在氧化條件下的加速浸出。在減緩晶格應變弛豫速率的時間、溫度、Eh和pH條件下生產活化化合物。因此,提供了由式I定義的化合物:(CuFeS2)n●Cu(6)Fe(x)S(y)???I其中變量如本文所定義。還提供了制備和使用所述化合物的方法。
聲明:
“具有增強的電化學反應性的活化半導體化合物及其相關方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)