本發明公開了一種200mm尺寸的地質芯片封裝的制作工藝,包括真空爐,真空爐的外表面設置有限位桿,限位桿的外表面轉動連接有連板,連板的一端固定連接有密封蓋,真空爐的側表面分別設置有抽氣管道和氮氣管道,真空爐的內部設置有第一隔熱層,第一隔熱層的內部設置有加熱腔,加熱腔的內部設置有第二隔熱層,第二隔熱層的外表面纏繞有加熱絲管,且第二隔熱層的內壁設置有多個氮氣噴頭,通入的氮氣可以快速的排入第二隔熱層內部,避免氮氣管道內部堆積大量氮氣而增大氮氣管道的內部壓強,防止較大壓力氮氣管道產生損壞,多個氮氣噴頭可以使氮氣可以均勻的排放至加熱腔內,有助于阻止加熱腔內的一些金屬發生揮發變形,同時可以提高冷卻效果。
聲明:
“200mm尺寸的地質芯片封裝的制作工藝” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)