權利要求書： 1.一種太陽能電池，其是于具有第一導電型的半導體基板的第一主表面上，擁有具有前述第一導電型的基極層，及鄰接于前述基極層且具有與前述第一導電型相反的導電型的第二導電型的射極層，至少于前述基極層上具有基極集電電極的太陽能電池，其特征在于：前述基極集電電極的一部分以與前述射極層接觸的方式亦配置于前述射極層上，此射極層鄰接于配置有該基極集電電極的前述基極層。
2.根據權利要求1所述的太陽能電池，其中配置于前述射極層上的基極集電電極的膜厚為0.1～10μm。
3.根據權利要求1所述的太陽能電池，其中配置于前述射極層上的基極集電電極的寬度為0.1～10μm。
4.根據權利要求2所述的太陽能電池，其中配置于前述射極層上的基極集電電極的寬度為0.1～10μm。
5.根據權利要求1～4中任一項所述的太陽能電池，其中前述基極層于前述第一主表面中，配置于比前述射極層更凹陷的位置。
6.根據權利要求1～4中任一項所述的太陽能電池，其中前述射極層在前述第一主表面中，配置于比前述基極層更凹陷的位置。
7.一種太陽能電池模塊，其特征在于，內藏有根據權利要求1～4中任一項所述的太陽能電池。
8.一種太陽能電池模塊，其特征在于，內藏有根據權利要求5所述的太陽能電池。
9.一種太陽能電池模塊，其特征在于，內藏有根據權利要求6所述的太陽能電池。
10.一種太陽能光發電系統，其特征在于，具有根據權利要求7所述的太陽能電池模塊。
11.一種太陽能光發電系統，其特征在于，具有根據權利要求8所述的太陽能電池模塊。
12.一種太陽能光發電系統，其特征在于，具有根據權利要求9所述的太陽能電池模塊。
13.一種太陽能電池的制造方法，其是具有以下步驟的太陽能電池的制造方法：于具有第一導電型的半導體基板的第一主表面上，形成具有前述第一導電型的基極層，及鄰接于前述基極層且具有與前述第一導電型相反的導電型的第二導電型的射極層的步驟，與于前述基極層上形成基極集電電極的步驟；
其特征在于：
于前述基極層上形成基極集電電極的步驟中，將前述基極集電電極的一部分以與前述射極層接觸的方式亦形成在鄰接于前述基極層的射極層上。
14.根據權利要求13所述的太陽能電池的制造方法，其中將前述射極層上的基極集電電極的膜厚設為0.1～10μm。
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聲明：
“高光電變換效率太陽能電池及高光電變換效率太陽能電池的制造方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：信越化學工業株式會社
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2025年08月07日 ~ 09日 
