1.本發明涉及半導體高純石英加工環領域,具體涉及一種半導體級石英環的生產工藝。
背景技術:
2.石英玻璃是玻璃的一種,其他玻璃有各種各樣的成分,而石英玻璃的主要成分是sio2,石英玻璃的純度非常高、耐熱性、透光性、電氣絕緣性和化學穩定性等均非常優良,故半導體產業中正好需要這樣優良的性能,氧和硅在自然中組合形成氧化硅,包括氧化硅砂和無色水晶,被開采和熔煉成石英,然后被制造成最終石英制品,由于石英材料具有硬度高、易碎的特點,所以石英加工一直是業內的難點;
3.目前行業加工的石英制品尺寸精度低,表面狀態比較粗糙,半導體級石英制品要求的材料的純度很高,加工精度要求0.01mm以上,很難滿足半導體行業的需求;
4.針對上述的技術缺陷,現提出一種解決方案。
技術實現要素:
5.為了克服上述的技術問題,本發明的目的在于提供了一種半導體級石英環的生產工藝:通過將高純石英母材晶錠經過切割、水切割、平面研磨、mc加工、脫脂洗凈、化學洗凈、包裝,最終得到半導體級石英環,解決了現有的石英制品尺寸精度低,表面狀態比較粗糙,半導體級石英制品要求的材料的純度很高,很難滿足半導體行業的需求的問題。
6.本發明的目的可以通過以下技術方案實現:
7.一種半導體級石英環的生產工藝,包括以下步驟:
8.步驟一:將石英錠一端放置于晶錠切割設備的輸送輥上,通過限位座夾持,將石英錠另一端放入夾持機構的內腔中,通過夾持機構夾持,通過移動電機和輸送電機帶動石英錠向落刀槽的頂部移動,通過金剛石切割刀將石英錠進行切割,形成石英圓片;
9.步驟二:將石英圓片放置于水切割機的平臺上面進行內外徑加工,形成石英圓環粗品,內外徑余量為5mm,用于后續mc加工;
10.步驟三:將石英圓環粗品進行平面研削加工,保證平面度以及平行度要求達0.02mm以內,平面研削之后進行mc加工,通過mc將其余所有特征尺寸加工出來,得到石英圓環半成品;
11.步驟四:將石英圓環半成品進行脫脂洗凈,洗凈時間為0.5小時,主要用于去除產品表面的有機物;
12.步驟五:脫脂洗凈之后進行純水超聲波清洗,洗凈時間控制0.5小時,目的是去除石英產品表面殘留的有機物、無機物和浮于產品表面的微粒;
13.步驟六:純水超聲波清洗后用質量分數為2
?
10%的聚天冬氨酸水溶液洗凈,進行脫金屬處理,目的是于去除產品表面的金屬元素;
14.
聲明:
“半導體級石英環的生產工藝的制作方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)