簡介
JEM-ARM200F差校正透射電鏡,擁有STEM-HAADF像分辨率(63PM),標配了掃描透射環形明場(STEM-ABF)成像模式。對樣品在納米尺度的精細結構和化學成份進行高水平表征檢測。用于納米科學、材料科學、生命科學等領域的科研項目。
工作原理
JEM-ARM200F差校正透射電鏡可用于成分,形貌,結構分析測試。獲得樣品表面形貌,粒徑等相關信息。用于獲得明、暗場像的襯度像進行分析。直接觀察晶體樣品中輕元素的原子陣列,還可以同時獲取STEM-HAADF像,極大增強觀察、分析能力。原子像,選區電子衍射,會聚束電子衍射;對樣品在納米尺度的精細結構和化學成份進行高水平表征檢測。 技術參數
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束流強度0.2nm時0.5nA 或更高
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點分辨率≤0.23nm
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聚光鏡球差系數可調,±5um 或更好
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放大倍數TEM: 50-2,000,000倍*;STEM magnification: ≥150,000,000*
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樣品室≤2 x 10-5 Pa
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加速電壓80—300kV
選型原則
檢測能力:形貌、結構、成分分析 應用案例
下單網址:www.foftest.com 設備結構
JEM-ARM200F差校正透射電鏡,擁有STEM-HAADF像分辨率(63PM),標配了掃描透射環形明場(STEM-ABF)成像模式。對樣品在納米尺度的精細結構和化學成份進行高水平表征檢測。用于納米科學、材料科學、生命科學等領域的科研項目。