一種異質結電池的tco薄膜及其制作方法
技術領域
1.本技術屬于太陽能電池技術領域，尤其涉及一種異質結電池的tco薄膜及其制作方法。
背景技術：
2.相關技術中的異質結太陽電池通常使用氧化銦錫(ito)材料作為透明導電薄膜窗口層。具體地，選用特定錫含量的ito靶材作為原材料，預抽真空到一定背底氣壓后傳入襯底，保持襯底與靶材間距，保持特定溫度，通入氬氣調節腔體氣壓到特定區間，在特定功率密度下沉積特定厚度的ito薄膜。
3.然而如此，紫外光區產生禁帶的勵起吸收，故ito薄膜的紫外光區光穿透率極低，并且，近紅外區由于載流子的等離子體振動現象而產生反射，故ito薄膜近紅外區的光透過率也很低。由此產生的光學寄生吸收導致硅異質結太陽電池的光利用率下降，損失短路電流。
4.基于此，如何設計異質結電池的tco薄膜來替代ito薄膜以提高紫外波段和近紅外波段的光透過率，成為了亟待解決的問題。
技術實現要素：
5.本技術提供一種異質結電池的tco薄膜及其制作方法，旨在解決如何設計異質結電池的tco薄膜來替代ito薄膜以提高紫外波段和近紅外波段的光透過率的問題。
6.第一方面，本技術提供的異質結電池的tco薄膜的制作方法，濺射系統中的靶材為(in
1-x
ga
x
)
2-y
zryo3靶材，x的范圍為[0.00，0.28]，y的范圍為[0.01，0.18]。
[0007]
可選地，x為0.14，y為0.1。
[0008]
可選地，待濺射生長薄膜的襯底的溫度為25℃-240℃。
[0009]
可選地，所述待濺射生長薄膜的襯底的溫度為120℃-160℃。
[0010]
可選地，工藝氣體為含2％-8％體積分數的氫氣的氬氣；或，工藝氣體為含體積分數小于或等于5％的氧氣的氬氣。
[0011]
可選地，抽真空后腔室內的本底真空度為0.8
×
10-4
pa-1.2
×
10-4
pa；和/或，通入工藝氣體后，腔室內的氣壓的范圍為3pa-10pa；和/或，利用射頻電源啟輝后，腔室內的工作氣壓為0.5pa-5pa。
[0012]
可選地，利用射頻電源啟輝后，濺射功率密度為3.6w/cm
2-12w/cm2。
[0013]
可選地，待濺射生長薄膜的襯底到所述靶材的距離為4cm-12cm。
[0014]
第二方面，本技術提供的異質結
聲明：
“異質結電池的TCO薄膜及其制作方法與流程” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：珠海富山愛旭太陽能科技有限公司 天津愛旭太陽能科技有限公司 廣東愛旭科技有限公司
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2025年07月23日 ~ 26日 
