1.本技術涉及半導體領域，尤其涉及一種采用立式爐管的半導體熱處理方法及立式爐管。
背景技術：
2.在半導體制造過程中，尤其是半導體熱處理工藝中，立式爐由于其占地面積小，處理效率高得到廣泛的應用。立式爐中通常采用立式晶舟作為承載工具，用于晶圓或芯片的傳送及加工。一般的晶舟材質采用石英或碳化硅材料，適用于不同溫區的熱處理工藝。
3.低壓化學氣相沉積(lpcvd)作為一種常用的半導體熱處理工藝，廣泛用于氧化硅、氮化物、多晶硅等膜層的沉積?，F有技術中的半導體熱處理方法及立式爐管，存在一定的缺陷?，F有技術中在處理teos(正硅酸乙酯)在高溫狀態下，采用直立式低壓化學氣相沉積爐管生成氧化硅(sio2)時，在沉積過程中由于沉積速率問題導致不同位置產品的膜厚會有所不同，而這些差異不能通過簡單的溫度調整來消除它，而制備的膜厚度不均勻的產品，會在后續導致半導體產品良率的降低，增大了品控難度。
4.因此，如何改善半導體產品膜厚度不均勻的技術問題，提高產品良率，成為了亟待解決的技術問題。
技術實現要素：
5.本技術提供一種采用立式爐管的半導體熱處理方法及立式爐管，用于改善半導體產品膜厚度不均勻的技術問題。
6.本技術提供了一種采用立式爐管的半導體熱處理方法，包括：在立式爐管的晶舟內放置晶圓和擋片，所述擋片位于所述晶圓的上方和下方；在所述晶舟下方的進氣盤承載支架內交錯放置進氣盤。
7.在一些實施例中，所述晶舟從上到下依次劃分為第一擋片區、晶圓區以及第二擋片區，其中，所述第一擋片區具有第一數量的槽位，所述第二擋片區具有第二數量的槽位。
8.在一些實施例中，放置在所述第一擋片區內的擋片數量等于所述第一數量，放置在所述第二擋片區中的擋片數量少于所述第二數量。
9.在一些實施例中，所述進氣盤承載支架內具有第三數量槽位，放置在所述進氣盤承載支架內的進氣盤數量少于所述第三數量。
10.在一些實施例中，在所述進氣盤承載支架內交錯放置的各所述進氣盤軸心在水平方向的距離為10mm～50mm。
11.在一些實施例中，將所述擋片在所述第二擋片區內分散放置或間隔放置。
12.在一些實施例中，將所述進氣盤在所述進氣盤承載支架內分散放置或間隔放置。
13.在一些實施例中，所述采用立式爐管的半導體熱處理方法采用直立式低壓化學氣相沉積爐管通入正硅酸乙酯，加熱晶圓以在晶圓表面形成二氧化硅膜。
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聲明：
“采用立式爐管的半導體熱處理方法及立式爐管與流程” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：長鑫存儲技術有限公司
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2025年07月23日 ~ 26日 
