本發明涉及一種從摻鍺廢舊光纖中回收和利用鍺的方法，屬于固體廢物資源化
技術領域：
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背景技術：
：鍺是一種典型的稀散金屬，在地殼中的含量僅為一百萬分之七，極少單獨成礦，只有幾種含鍺量大于1%的礦物。鍺具有良好的半導體性能，在高科技工業應用生產中具有較高的價值，被多個國家列為戰略儲備資源。在光纖、超導材料、太陽能電池等前沿領域正發揮著越來越重要的作用。伴隨著市場對鍺需求量的顯著增加及鍺資源短缺的現狀，如何從二次資源中回收鍺已成為重要的研究課題。光導纖維是鍺的主要應用領域，中國通訊產業的快速發展和國內旺盛的通訊需求帶動光纖行業迅猛發展，作為鋪開5g的上游產業，光纖光纜將迎來高速發展的機會。作為光纖主要原料之一的四氯化鍺目前已經成為鍺的重要用途之一，同時，由于金屬儲量有限，技術行業的需求很高以及研究的急迫性，從廢舊光纖中回收鍺的過程的研究具有極大的意義。鍺形成了早期半導體器件行業的基礎，但由于其表面性質和成本等問題，它在常見器件中逐漸被硅所取代。然而，在一些專門的應用中，如金屬氧化物半導體場效應晶體管，近紅外光電探測器，高效率太陽能電池等，鍺由于其高載流子遷移率，低帶隙和強量子限制以及較高的吸收系數等有利特性，再次成為主流電子材料。因此，通過將回收的鍺制備多晶鍺薄膜具有很大的研究價值。多晶鍺薄膜常用的制備工藝有電子束蒸法(ebe)、濺射法、脈沖激光沉積法、分子束外延法和化學氣相沉積法（pecvd），電沉積等。但傳統方法制造上無論是化學氣相沉積、液相外延等方法制造多晶鍺薄膜，都需要高溫、高真空條件下使用昂貴的設備并經過復雜的程序完成，因此制造成本較高。而電沉積法采用相對簡單的設備即可實現低溫下鍺薄膜的制備，近年來被廣泛關注。而現階段，對于廢棄光纖中鍺的資源化研究主要分為濕法和火法，但存在設備腐蝕、能耗高、產品純度較低等缺點，且還需經過大量的研究才能投入實際使用，該專利采用浸出-電沉積的工藝，為鍺的資源化提供一種新的思路。技術實現要素：為了克服現有技術的不足，本發明提供了一種綠色高效、處理工藝簡單的從摻鍺廢舊光纖中回收鍺的高值資源化方法。摻鍺廢舊光纖中鍺的質量含量一般為0.05-10%，硅的質量含量為90-99.9％。在生產光棒時鍺的化合物與硅的化合物反應后鍺被大量的二氧化硅膠體包裹，鍺硅屬于同族元素，兩者的分離一直是行業難題，四方晶型的geo2化學性質穩定，一般的
聲明：
“從摻鍺廢舊光纖中回收和利用鍺的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：上海第二工業大學
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2025年07月23日 ~ 26日 
