一種改變半導體材料pn型的制備方法
技術領域
1.本發明涉及半導體材料領域，尤其涉及一種通過改變制備參數可以改變材料的pn型制備方法。
背景技術：
2.p型半導體又稱空穴型半導體，是以帶正電的空穴導電為主的半導體?？昭ㄏ喈斢趲д姷牧Ｗ?，在這類半導體的導電中起主要作用。n型半導體也稱為電子型半導體。即自由電子濃度遠大于空穴濃度的雜質半導體。當p型半導體和n型半導體緊密接觸時，就會產生pn結結構，這種結構會在接觸面附近產生空間電荷區。根據這個特性，利用pn結可以制造多種功能的晶體二極管，并廣泛應用與現代工業中。
3.目前，pn結中的當p型半導體和n型半導體一般分別用復雜不同的摻雜制備工藝獲得。利用pn結不同的特性，可以具有不同的應用，比如：整流二極管、檢波二極管、雪崩二極管、隧道二極管、變容二極管、半導體激光二極管、光電探測器和太陽能電池等。因此在實際應用中就需要多種p型半導體和n型半導體的性質。目前的方法不可避免的伴隨著工序復雜，制備周期長，成分不可變，成本高，成品尺寸大等缺點，很難更好的適應現在工業上的要求。
技術實現要素：
4.本發明的目的是一種改變半導體材料pn型的新方法。
5.本發明將一種硒化鋅摻雜半導體沉積到基底表面形成半導體薄膜，通過控制制備條件，達到控制基片上半導體薄膜pn型的目的。制備過程中選擇使用脈沖激光沉積技術(pulse laser deposition,pld)完成薄膜的制備，基片選擇使用石英玻璃。上述靶材為znse
0.4
:mo
0.3
:ga
0.3
半導體摻雜材料。
6.本發明的半導體材料通過脈沖激光沉積法來制備的，采用如下技術方案實現：先采用固體反應燒結法制備znse
0.4
:mo
0.3
:ga
0.3
陶瓷靶材，再采用脈沖激光沉積法制備znse:mo:ga薄膜，通過控制不同的制備條件，得到不同pn特性的半導體薄膜。
7.具體步驟如下：
8.1)制備znse
0.4
:mo
0.3
:ga
0.3
陶瓷靶材：
9.燒結是陶瓷生產過程中必不可少的一部分。本發明中采用固相反應燒結法制備了znse:mo:ga陶瓷材料，其摩爾配比為4:3:3；根據化學計量比利用電子天平對znse(99.99％)、mo(99.99％)和ga2o3(99.999％)的粉末進行稱重，粉末在瑪瑙砂漿中
聲明：
“改變半導體材料PN型的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：北京工業大學
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2025年07月16日 ~ 18日 
