本發明公開了一種硅片薄膜的生長方法,包括:測得一控制硅片中央位置與周邊位置的薄膜厚度比;利用所述厚度比在硅片上進行第一次薄膜生長;在第一次生長的薄膜上進行光刻膠旋涂;利用硅片周邊曝光系統對硅片周邊位置進行曝光,經顯影后將部分光刻膠去除;通過刻蝕將硅片部分薄膜去除;去除剩余的光刻膠后,利用所述厚度比進行第二次薄膜生長,通過兩次薄膜生長使薄膜達到要求的厚度。本發明所述硅片薄膜的生長方法,能使硅片上生長的薄膜其中央位置和周邊位置的薄膜厚度一致,減少硅片周邊芯片的失效率,提高產品的成品率。
聲明:
“硅片薄膜的生長方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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