本發明適用于芯片測試技術領域,提供了一種不良芯片篩選方法,所述方法是根據預設的熱力學篩選方法對待篩選的芯片進行熱力學性能篩選,得到符合熱力學要求的芯片,再根據預設的電學篩選方法對所述符合熱力學要求的芯片進行電學性能篩選,得到符合電學性能要求的芯片,通過同時對待篩選芯片進行熱力學測試和電學參數測試,能夠有效保證芯片出廠的合格率;最后獲取所述符合電學性能要求的芯片的電學參數測試數據,并基于正態分布原理篩選出電學參數測試數據符合3σ原則的芯片,能夠篩選出具有高度一致的電學參數的良品,剔除存在失效風險的良品,從而進一步提高芯片出廠的合格率。
聲明:
“不良芯片篩選方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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