本發明涉及光伏器件制作工藝領域,具體為一種無機銫鉛鹵鈣鈦礦磁控濺射靶材制備與回收和薄膜生長技術。常規的溶液法制備無機鈣鈦礦薄膜,由于過快的液相反應不易控制,導致鈣鈦礦薄膜出現不均勻、多孔洞的現象,進而影響薄膜的質量和性能。本發明設計了一種無機鈣鈦礦磁控濺射靶材的制備與回收技術,并采用該靶材在襯底上濺射生長薄膜。該技術克服了溶液法生長薄膜多孔洞的缺點,生長出均勻分布、形貌緊湊、低缺陷密度、高相純度的無機鈣鈦礦薄膜,其優化的性能和穩定的技術為鈣鈦礦薄膜的商業化生產應用提供了新思路。
聲明:
“無機銫鉛鹵鈣鈦礦磁控濺射靶材制備與回收和薄膜生長技術” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)