本發明設計半導體制造領域,尤其涉及一種金屬電遷移測試結構。測試結構分為電遷移被測結構、電遷移阻擋結構、測試端口和探測端口。電遷移被測結構與電遷移阻擋結構相連,位于測試端口之間。測試結構具有三個探測端口,其中兩個探測端口用來精確的確定電遷移被測結構是否失效,另一個探測端口用來探測精確的電遷移被測結構的溫度,從而提升測試的準確度。
聲明:
“金屬電遷移測試結構” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)