本發明公開了一種用于分析濕氣進入芯片內部路徑的方法,包括選取濕度可靠性測試失效芯片的晶圓;收集所述晶圓的原始測試數據,其中,所述原始測試數據包括原始工藝制程參數測試數據、原始晶圓級參數測試數據;對經過高溫高濕試驗后的所述晶圓進行清潔;收集清潔后的所述晶圓的試驗測試數據,其中,所述試驗測試數據包括原始工藝制程參數測試數據、試驗晶圓級參數測試數據;根據所述原始測試數據與所述試驗測試數據之間的差值的晶圓地圖判斷濕氣進入芯片內部的路徑。本發明通過創新改進濕氣進入芯片內部路徑的分析方法,能夠高效判斷濕氣進入芯片內部的路徑,同時能為晶圓制造商提供一種常規可靠性檢測的有效手段。
聲明:
“用于分析濕氣進入芯片內部路徑的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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