本發明公開了一種避免燒傷的功率半導體芯片失效定位方法,涉及半導體技術領域,該方法包括:將芯片置于難燃液體中;通過源表為芯片提供預定電壓或預定電流;通過微光顯微鏡探測芯片的失效位置。解決了芯片的保護層損傷處或原始失效位置在加載電壓后產生燒痕,導致后續失效分析增加難度的問題,達到了保持原始失效位置的形貌,避免在原始失效位置及有缺陷的保護結構處產生額外的燒痕的效果。
聲明:
“避免燒傷的功率半導體芯片失效定位方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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