本發明公開了一種無阻擋層金屬層功率器件IGSS失效點定位方法,包含:第一步,將失效硅片樣品正面使用保護層保護,第二步,利用藥液去除背面金屬;第三步,使用藥液除去保護層;第四步,除去失效管芯之外的其他無關區域;第五步,打線,將柵極與源極引出;第六步,在樣品背面涂上一層有機層;第七步,對需要測試的失效管芯,利用測試機臺進行測試抓點;第八步,利用機臺打打標點,確認失效點在樣品的相對位置,進一步根據OM的相對位置,利用FIB位移功能確認精確的相對位置;第九步,再把樣品正面朝上,FIB機臺位移至失效點的區域;第十步,針對確認的失效點進行后續FIB結構分析。針對無阻擋層金屬層的功率器件,準確有效地定位IGSS失效點的位置。
聲明:
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