本發明提出一種存儲單元失效分析的測試方法,包括:定義內存區域,所述內存區域中的內存單元與芯片上存儲單元數量及位置一一對應;對存儲單元進行可調數值范圍內的加壓,測量得到各存儲單元的閾值電壓,并將與閾值電壓相關的步進值信息存入內存區域對應的內存單元位置,直至所有存儲單元的閾值電壓都能測試得到;讀出內存區域中的與閾值電壓相關的步進值信息,生成數據文件;對數據文件進行分析得到閾值電壓對應存儲單元位置的信息,同時能計算出整個存儲芯片閾值電壓分布的信息。本發明能很精確地進行閾值電壓失效點的定位,提高了測試效率。
聲明:
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