本發明公開了一種低電導率、抗灰跡Rb : KTP晶體,所述晶體的化學式為RbxK(1-x)TiOPO4,0.01<x<0.1。本發明還公開了一種低電導率、抗灰跡Rb : KTP晶體的制備方法,包括以下步驟:在以K6作助熔劑的生長KTP的原料體系中加入氧化銣并攪拌均勻,制成Rb : KTP晶體原料;將制成的Rb : KTP晶體原料放入坩堝中進行加熱熔化后再降溫到飽合點;向熔化的原料中加入籽晶使Rb : KTP晶體沿籽晶生長。本發明公開的Rb : KTP晶體與KTP晶體相比,具有很低的電導率,能夠滿足作為電光器件的電導率要求,在高電場作用下不會使晶體變黑變性而損壞;晶體的吸收系數比較穩定,經實驗測試具有很好的抗灰跡性能。
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