本發明公開了一種基于多孔硅的熒光生物傳感器基底材料的制備方法,所述制備方法包括以下步驟:S1、在常溫環境下用電化學腐蝕法以P型單晶Si為基底制備多層多孔硅樣品;S2、制備納米金膠溶液;S3、將氨基化后的多孔硅樣品浸泡在納米金膠溶液中8小時以得到納米金修飾后的樣品;S4、將量子點溶液滴定在氨基化的多孔硅樣品上常溫下放置6小時,使得CdSe或ZnS量子點緩慢地沉積在多孔硅薄膜上;S5、對樣品進行表面形貌表征、反射譜測量及光致發光測量。利用多孔硅的布拉格結構及納米金的等離子體效應雙重增強嵌入多孔硅中的CdSe/ZnS量子點熒光的方法,成功制備了一種具有較強熒光信號及生物兼容性的QDs/Au/PSi(量子點嵌入納米金修飾的多孔硅)生物傳感器基底材料。
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