本發明公開了一種具有雙穩態結構的肖特基二極管設計方法,步驟包括:從銅體相中得到純凈的Cu(111)表面;利用DFT計算方法對其結構進行優化得到其晶格常數,并與實驗值比較;構建出anthradithiophene(ADT)分子,并對其進行結構優化;再將優化好的ADT分子放在優化好的Cu(111)面的多種不同位置上,分別對其結構進行優化;檢查優化好的結果,并且找出能夠穩定存在的結構;單獨計算吸附前優化好的ADT分子的禁帶寬以及界面偶極得到其肖特基高度。本發明通過新穎而又精確的DFT計算方法,結合實驗數據,使得設計出的肖特基二極管穩定性高,肖特基能壘低,且兼具物理和化學吸附的雙重優點。
聲明:
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