本發明涉及一種在硅基片上通過間歇式循環工藝生長金剛石薄膜的方法,屬無機非金屬材料化學氣相沉積工藝技術領域。本發明利用傳統的、現有的熱絲化學氣相沉積裝置,采用間歇壓循環工藝生長金剛石薄膜的方法,即間歇性地通入氫氣對金剛石薄膜進行刻蝕,以減少薄膜中石墨的含量;本發明方法可制得具有優良電學性能的、適合于制作探測器的金剛石薄膜材料。
聲明:
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