一種納米金剛石?石墨烯復合薄膜,其制備方法為:將金剛石粉末和丙三醇混合,分散均勻,得到金剛石粉研磨膏,用其打磨單晶硅片,之后將硅片清洗,吹干,完成種晶過程;之后將硅片放入熱絲化學氣相沉積設備,以丙酮為碳源,采用氫氣鼓泡方式將丙酮帶入到反應室中進行薄膜生長,完成納米金剛石?石墨烯復合薄膜的制備;本發明制得的NCD?G的復合膜,具有較高的穩定性和耐蝕性,且具有相對快速的電子轉移速率,該薄膜背景電流極低,電勢窗口極寬,有望應用于極端環境下的痕量檢測電極領域。
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“納米金剛石-石墨烯復合薄膜電極及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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