本發明公開了一種基于脈沖激光沉積的相變薄膜的制備方法,基于脈沖激光沉積設備,包括以下步驟:在真空條件下,利用激光照射旋轉靶材進行預打靶,然后在旋轉硅基底上沉積Ge2Sb2Se4Te1薄膜。本發明是通過脈沖激光沉積制備的新型相變材料Ge2Sb2Se4Te1,保證了合金薄膜中各個元素較為理想的組分比,并通過特定溫度特定時間的退火實現了Ge2Sb2Se4Te1在逐漸相變過程中的折射率變化情況,在1550nm處實現了優度值FOM=5.2,優度值為相變前后折射率的變化與消光系數的變化之比,反映了相變材料的相變性能。對于本發明提供的基于脈沖激光沉積制備的新型相變材料Ge2Sb2Se4Te1,研究了其相變前后的形貌變化以及晶態情況下的晶格結構,并且分析了相變前后元素化學態度的變化情況,揭示了Ge2Sb2Se4Te1的相變機理。
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