本發明公開了一種高靈敏度、高穩定性表面增強拉曼芯片的制備方法及應用方法,該方法首先是在1cm×1cm的雙面精拋光石英基底上通過自組裝的方法得到單層排布的聚苯乙烯納米球陣列;再采用反應離子刻蝕工藝對制作的單層納米球陣列進行刻蝕,改變納米球之間間隙的尺寸大??;最后通過銀納米薄膜沉積和Lift?off工藝得到結構周期為430nm,粒子直徑為160nm,局域表面等離子體共振波長為780nm的表面增強拉曼芯片。本發明的表面增強拉曼芯片可檢測出10nM濃度的若丹明6G分子;且同一高靈敏度、高穩定性表面增強拉曼芯片的7處不同位置處10μM濃度的若丹明6G分子的拉曼光譜曲線的特征峰值強度偏差為±3%,可滿足生物、化學物質的快速特異性檢測需求。
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