本發明公開了一種顆粒物清除效率的快速評價方法,對半導體制造中化學機械拋光處理后的晶圓表面顆粒物的清除效率進行評價,包括:切割處理晶片得到晶片樣品,進行沾染實驗,獲得待清洗的晶樣;進行形貌分析,獲得清洗前三維形貌圖像;用清洗液進行清洗實驗,得到清洗后的晶樣;獲得清洗后三維形貌圖像;將得到的清洗前/后三維形貌圖像分別在垂直方向上截取高度H處的橫截面,對應得到晶片表面清洗前/后顆粒污染物狀況的圖像,對圖像進行分析處理,得到清洗前/后顆粒污染物數量或面積,計算清洗效率,其中高度H大于晶片樣品表面的平均粗糙度且小于顆粒污染物平均粒徑的一半。本發明的評價方法能實現快速、低成本的清除效率的評價。
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