本發明公開了一種高純度二氧化硅的生產方法,其步驟包含:A)制備先導物,以化學合成方法制備含氟硅酸鹽官能基的含硅氟化物作為先導物;B)純化先導物,將步驟A)制備的先導物利用純化手段以去除元素周期表中的III、V族離子雜質,從而得到純化先導物,該純化先導物中:硼與磷含量介于1ppm至1ppb之間,過渡金屬含量介于1ppm至1ppb之間;更優選,硼與磷含量介于10ppb至1ppb之間;C)以還原劑水解還原先導物制造二氧化硅產品,將依步驟B)純化分析而得的純化先導物,以高純度氨氣為還原劑,藉由水解反應還原純化先導物中的硅,并得到高純度二氧化硅成品。本技術方案生產的二氧化純度質量硅高,并且環保低污染、低生產成本。
聲明:
“高純度二氧化硅的生產方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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