一種用于MRAM的磁性半金屬材料的阻尼調控方法,采用分子束外延的生長方法在MgO襯底上生長變Al成分即偏化學計量比的Co2FeAl1+x單晶薄膜。x大于0.03,小于1。整個過程中,單晶薄膜的化學計量比是由元素Co、Fe、Al束源爐的溫度控制蒸發量;且整個單晶薄膜生長過程由RHEED實時監控;偏化學計量比的定量分析來自于STEM的元素擴散的面積積分圖;同時,還補充不同成分的Al元素,以確定最低阻尼的化學計量比。根據校準的結果,我們改變生長方法,使用偏化學計量比的生長方法,即補充Al的生長。最后使用Tr?MOKE進行磁性動力學測量。發現補充10%的Al元素可以有效的降低Co2FeAl的本征阻尼。
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