一種半導體處理設備及其操作方法。該方法可以包括測量半導體晶片的至少一個性質并且基于至少一個性質確定用于處理半導體晶片的處理方法??梢曰诖_定的處理方法使用多個化學機械拋光(CMP)模塊處理半導體晶片,其中處理方法包括用于由多個CMP模塊中的每個CMP模塊使用的至少一個參數的值。測量可以由內建度量設備原位進行。處理方法和與處理方法關聯的各種參數可以由半導體處理設備的控制器確定。
聲明:
“使用來自測量設備的反饋的自適應半導體處理” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)