本發明涉及了一種硫化銻基可見光光電探測器的制備方法,屬于無機非金屬材料器件制造工藝領域,首先采用溶膠?凝膠法在FTO上制備一層致密的二氧化鈦薄膜;二氧化鈦薄膜經過退火后使用熱蒸鍍沉積硫化銻(Sb2S3)薄膜;然后使用硫代乙酰胺對硫化銻薄膜進行表面硫化同時進行退火處理;最后將化學氣相沉積(CVD)法生長的石墨烯薄膜(Gr)轉移到硫化銻薄膜上,形成TiO2/Sb2S3/Gr薄膜結構的可見光探測器,為制作高性能的可見光探測器提供了新的方法。該光電探測器可以在可見光有很高的響應且對不同波長的可見光具有不同的響應電流,同時隨入射光強的增加響應電流線性增加。
聲明:
“硫化銻基光電探測器的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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