本發明公開一種能夠有效測試淺溝槽隔離填充能力的測試結構,在硅基底上刻蝕有若干用于形成淺溝槽測試結構的第一溝槽,兩相鄰第一溝槽之間的硅基底形成第一硅基底線,所述若干第一溝槽分布在所述測試結構的中間,所述測試結構的外圍還設置有若干用于消除化學機械平坦制程中負載效應的虛擬結構,其特征在于,所述測試結構中最外圍第一溝槽的外側形成有第二硅基底線,所述第二硅基底線的寬度比所述第一硅基底線的寬度寬。本發明的有益處是,通過適當加寬STI填充能力測試結構中最外圍兩側的硅基底線的寬度,消除了由于STI蝕刻所帶來的負載效應,從而能夠更加有效的給工程人員提供信息來判斷或者調試STI填充制程。
聲明:
“有效的測試淺溝槽隔離填充能力的測試結構” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)