本發明公開了一種自動調節化學機械拋光設備硅片研磨壓力的方法,使用化學機械拋光設備對硅片研磨,在該化學機械拋光設備的HCLU內加裝壓力感應傳感器,然后循環執行以下步驟:在該化學機械拋光設備上安裝新的固定環,重新設定固定環厚度值,將研磨頭轉到HCLU正上方,測量新的固定環上的壓力值并自動記錄,化學機械拋光設備開始研磨作業,當研磨頭轉到HCLU時,在卸下硅片的同時測量固定環的厚度,根據該厚度差計算研磨時的壓力補償值并進行調整,當固定環的厚度變薄時,應當適當調低對固定環的壓力,使硅片周邊的研磨速率保持不變,再進行下一次硅片研磨作業。本發明可調整研磨時RETAINER RING的壓力輸出,提高了CMP工藝的硅片周邊的殘膜厚度的穩定性。
聲明:
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