本發明提供一種化學機械研磨方法,該方法包括以下步驟:提供多個具有相似或相同圖形的硅片,這些硅片均具有硅襯底和位于該硅襯底之上的待研磨層,使用化學機械研磨設備將待研磨層研磨至目標位置,再進行一定時間Top的過研磨,其中,使用終點檢測裝置來監測研磨終點及監測到該終點后發出開始所述過研磨的指示,并由該終點檢測裝置測得硅片被正常研磨時抵達所述終點所經歷的平均研磨時間T1,其中,該方法還包括:當多個硅片中的一個硅片被研磨至終點時所經歷的實際研磨時間T小于T1的70%-85%時,將該硅片的過研磨時間Top延長至Top+(T1-T)。
聲明:
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