公開了用于半導體層的電化學氧化的方法。在用于作為電子器件之一的電子源10(場致發射類型電子源)的生產過程中的電化學氧化處理過程中,基于來自電阻檢測部分35的檢測電壓,控制部分37預先測定由于電解溶液B的電阻導致的電壓增量。然后,控制部分37控制電源以供應恒電流,以便引發對于在物體30上形成的半導體層的氧化處理??刂撇糠?7通過從中減去電壓增量來校正來自電壓檢測部分36的檢測電壓。當校正電壓達到給定的上限電壓值時,可以操作控制部分37來中斷電源32的輸出和終止氧化處理。本發明使得可以生產在其特性方面具有減小的變化的電子器件。
聲明:
“電化學氧化” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)