本發明公開了MEMS芯片領域的一種高性能Ti?Co?RE靶材及大吸氣量薄膜吸氣劑制備的方法,包括高性能Ti?Co?RE薄膜吸氣劑靶材;所述高性能Ti?Co?RE薄膜吸氣劑靶材的合金配方為:Ti100?x?yCoxREy,其成分范圍為:15wt%≤x≤25wt%、5wt%≤y≤15wt%;將上述配方質量百分比配料后放入真空熔煉制備合金鑄錠、對鑄錠進行致密化處理、靶材尺寸加工,用其合金靶材,通過磁控濺射,在硅晶元基體樣品上進行濺射,制備成吸氣薄膜。本發明制備的吸氣薄膜具有低的激活溫度和良好的吸氣性能。
聲明:
“一種高性能Ti-Co-RE靶材及大吸氣量薄膜吸氣劑制備的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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