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            > 室溫電阻溫度系數高于10%K的多晶二氧化釩薄膜制備方法

            室溫電阻溫度系數高于10%K的多晶二氧化釩薄膜制備方法

            1064   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
            2023-03-19 06:06:11
            本發明涉及功能薄膜材料制備技術,其采用改進了的離子束增強沉積方法成膜,結合后續的結晶、退火,實現雜質的均勻摻入和對釩的有效替位,使薄膜的相變起始溫度降低到12-16℃附近。調節氬/氫比等成膜工藝和結晶熱處理條件,使多晶VO2薄膜從半導體相向金屬相轉變時,其電阻率的變化超過2個數量級。選擇摻雜或引入應力等制備方法、摻雜劑量、雜質種類等制備條件,使薄膜相變向低溫適當延展,相變滯豫足夠小,實現室溫附近的TCR大大提高,達10%/K以上,可滿足紅外探測和紅外成像的使用要求。獲得的沉積薄膜與襯底界面結合牢固,結構致密,與CMOS工藝兼容。本發明原料低廉,具有成本優勢,且在成膜過程中沒有廢液、廢氣等危害環境的物質排放。
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