本發明涉及一種硫化銻微納米管的制備方法,屬于光電材料制備技術領域。本發明將固體硫源放置在加熱設備的低溫加熱區,將礦源銻放置在加熱設備的高溫硫化反應區,采用保護氣體進行洗氣,然后加熱至低溫加熱區的溫度為150~300℃,高溫硫化反應區溫度為350~500℃,低溫加熱區的固體硫源釋放氣態硫與高溫硫化反應區的礦源銻反應生成硫化銻,硫化銻在基底上冷凝即得硫化銻微納米管。本發明工藝簡單,可大規模制備長度為100nm~20mm的大尺寸硫化銻微納米管,有利于實現光生載流子在徑向上的傳輸與分離,相較于普通球型或無規則硫化銻材料具有更大的比表面積,適用于光電探測及光催化領域。
聲明:
“硫化銻微納米管的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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