本發明提供一種引導晶體生長制備高致密度、高電導率電解質片的方法,包括以下步驟:將用于合成固體電解質粉的原料充分球磨后焙燒,并再次充分球磨干燥后等靜壓壓制成片于1000?1200℃下焙燒;將焙燒后的電解質片磨碎后獲得一定粒徑的電解質顆粒,加入至固體電解質粉中重新混磨均勻,再次等靜壓壓制成片,焙燒后獲得致密的高電導率固體電解質片。本發明通過固體電解質晶種的引入,誘導固體電解質中晶粒的形成與長大,降低了材料形核及晶核生長所需的能量,降低了固體電解質片致密化所需溫度。低溫致密化有效抑制固體電解質中鋰元素的揮發,精確控制合成固體電解質的組成,制備出了具有低阻抗、高電導率的固體電解質片。
聲明:
“引導晶體生長制備高致密度、高電導率石榴石型電解質片的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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