一種自旋光電子器件,包括襯底層,所述襯底層采用藍寶石基GaN材料,在所述襯底層上依次生長有P型緩沖層、阻擋層、第一勢壘層、浸潤層、量子點層、間隔層、量子阱層、第二勢壘層、n型接觸層和電極層,所述n型接觸層與所述電極層形成自旋閥注入結構,所述電極層包括依次生長的鑭系稀土錳氧化物、氘代MEH?PPV聚合物、氟化鋰電子注入層、惰性金屬保護層、上電極材料層。本實用新型所述的氘代MEH?PPV聚合物半導體材料具有更弱的超精細作用,從而更利于自旋在材料內部的傳輸;在陰極一側插氟化鋰電子注入層則有利于實現器件的雙極注入,因此,這種自旋閥結構的有機發光二極管具有更低的驅動電壓和更長的自旋傳輸距離。
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