本發明公開了一種固相插層法制備高熵層狀化合物的方法,所述高熵層狀化合物的分子式表達為(HEM)xMX2,其中HEM為元素周期表中的任意四種或四種以上金屬元素的組合,元素總量為x,,M為過渡族金屬元素,X為S、Se、Te元素中的一種。本發明采用固相插層法合成了一系列的過渡族金屬層狀化合物(HEM)xMX2,即在MX2層與層之間引入一層高熵原子層,可以對其插層量進行調控,從而得到不同的晶體結構,該系列材料在新能源等應用領域具有巨大潛力,本發明的制備方法簡易,反應周期短,成本低,可以獲得高純度的產物。
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