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            > Cu/CuO@ SiNWs光電復合材料及其制備方法

            Cu/CuO@ SiNWs光電復合材料及其制備方法

            835   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
            2023-03-18 16:23:01
            本發明公開了一種構織后硅片表面沉積銅及銅氧化物的Cu/CuO@SiNWs光電復合材料的制備方法,具體包括以下步驟:將N型平面單晶硅片超聲清洗,將其置于濃強酸與氧化劑的混合溶液中浸漬后去離子水沖洗,再用HF溶液浸漬;將處理后硅片浸入AgNO3和HF的混合溶液中,去離子水沖洗后浸入HF和H2O2的混合溶液中清洗、干燥后完成硅片刻蝕;將SiNWs浸入HF溶液中除去表面氧化膜,用PdCl2溶液活化后進行化學鍍銅,去離子水清洗、干燥;再將獲得的硅?銅復合材料置于馬弗爐內于保護性混合氣氛(含還原性氣體)中程序升溫焙燒即得復合光電材料,電化學性能測試表明所獲材料具有較高的PEC分解水性能和穩定性。
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