本發明目的公開了一種特制的真空熔煉爐以及SiC顆粒增強鋁基復合材料制備工藝,采用一定的成分配比及特殊的熔煉鑄造工藝。該工藝中利用所述真空熔煉爐,實現了整體的密閉以及真空狀態下加料,能夠實時地測量熔體內部溫度,并使顆粒以一定速度準確落入熔體漩渦中心,在強力攪拌下均勻分布在熔體內部,而且能夠有效地對復合材料熔體起到脫氧、脫氣的作用,由此本工藝能生產出成分均勻、低孔隙率、高力學性能且導熱性能優異的復合材料。一種坩堝升降式真空熔煉爐,包括坩堝復合裝置及升降平臺系統、攪拌裝置及升降平臺系統、加料裝置、真空系統、手持可升降熱電偶、密封系統、電控系統。
聲明:
“SiC顆粒增強鋁基復合材料制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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