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            VO2合金半導體薄膜及制備方法和應用

            1333   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
            2023-03-18 15:11:01
            本發明提供了合金半導體薄膜及制備方法和應用,該合金半導體薄膜的化學式為HfxWyV1?x?yO2,其中,0<x<1,0<y<1,本發明的合金半導體薄膜,利用HfO2的帶隙(5.5eV)大于VO2的帶隙(2.6eV),使用Hf4+離子部分取代V4+離子,來提高VO2的光學帶隙有效地提升薄膜的可見光透過率。同時,W離子為+6價,在VO2中摻入W6+離子相當于引入了載流子,載流子引入越多,越容易驅動電子相變的發生,因此降低了相變溫度,選擇Hf4+離子和W6+離子部分取代V4+離子制備了HfxWyV1?x?yO2合金體系從而實現了VO2的高可見光透過率和對其相變溫度的調節。
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