一種三元階梯型異質結半導體光催化劑制備方法,涉及一種光催化劑制備方法,本發明為一種新型用于增強可見光光催化活性的Ag:ZnIn2S4/CdS/RGO三元階梯型異質結的制備方法和條件,涉及光催化功能材料及其制備領域,將兩個光敏硫化物半導體在水熱條件下與RGO耦合形成穩定的三元異質結,并獲得目標光催化劑。這種合理設計的三元異質結光催化劑提高了可見光吸收率,產生了較大的表面積,暴露出足夠的催化活性位點。同時,異質結構界面處的內置電勢梯度可以促進電子?空穴對的分離,并降低其復合的機會。最終提高材料光催化產氫效率。
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