本發明涉及功能材料技術領域,具體涉及一種平柵極氧化鋅場致發射電子源的制備方法。平柵極氧化鋅場致發射電子源的制備方法,先形成相互平行的陰極和柵極電極圖案;其次,制作阻擋層;最后,將上述基片放入聚四氟乙烯的反應釜中,將0.05mol/L硝酸鋅和0.05mol/L六次甲基四胺配制成生長溶液倒入反應釜中;把反應釜放入烘箱中,控制反應溫度為95℃,反應時間為6h;反應結束后將反應釜冷卻至室溫,取出樣片浸泡丙酮中除去阻擋層,從而制備平柵極ZnO場致發射電子源。本發明所述的平柵極氧化鋅場致發射電子源具有較好的發射穩定性和發光特性。
聲明:
“平柵極氧化鋅場致發射電子源的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)