本發明提供了一種摻雜氧離子的高熵陶瓷及制備方法,屬于新材料及高熵陶瓷制備技術領域。本發明通過機械合金化及燒結過程將TiO2與過渡族金屬及其共價鍵化合物(包括碳化物、氮化物或碳氮化物)作為共同組元,使燒結后獲得的過渡族金屬共價鍵碳化物、氮化物高熵陶瓷塊體材料(高熵陶瓷)的晶體結構中陰離子點位含有氧離子,獲得的摻雜氧離子的非化學計量比高熵陶瓷具有面心立方的單相、單一晶體結構。這種在陰離子點位分布大量氧離子的耐輻射、耐腐蝕、高硬度強度的高熵陶瓷新材料,在催化、儲能及特殊功能材料器件等方面有極大的應用空間。
聲明:
“摻雜氧離子的高熵陶瓷及制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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